Научно-технологическим центром уникального приборостроения Российской академии наук в рамках программы обновления приборной базы приобретён аппаратно-программный комплекс для исследования электрофизических параметров объектов с высоким пространственным разрешением, реализующий все основные методики атомно-силовой и туннельной микроскопии, включая следующие:
- контактная атомно-силовая микроскопия (АСМ, измерение рельефа, нормальных сил, боковых сил, модуляция силы, отображение токов растекания),
- полуконтактная и бесконтактная АСМ (измерение рельефа, фазовый контраст, отображение сигнала ошибки обратной связи),
- силовая микроскопия пьезоэлектрического отклика,
- метод зонда Кельвина,
- магнитно – силовую микроскопию,
- электростатическую микроскопию,
- силовую и туннельную спектроскопию.
Комплекс позволит проводить исследование широкого круга образцов, в том числе тонких пленок, оптических зеркал, полупроводников, магнитных объектов, композитных и полимерных материалов, ультрадисперсных порошков и др. Реализация нерезонансных методов исследований позволяет получать карты распределения жесткости и модуля Юнга одновременно с топографией поверхности. Наличие нескольких синхронных детекторов в управляющей электронике позволяет реализовывать однопроходные методики для картирования поверхностного потенциала, одновременно регистрировать латеральное и вертикальное перемещение пьезоэлектрических доменов при подаче напряжения, а также проводить нестандартные операции.
Аппаратно-программный комплекс для исследования электрофизических параметров объектов с высоким пространственным разрешением будет доступен в рамках Центра коллективного пользования НТЦ УП РАН.
Приглашаем заинтересованных исследователей к проведению совместных экспериментов, а также для характеризации Ваших образцов в рамках услуг ЦКП НТЦ УП РАН на взаимовыгодных условиях.
